摘要:步骤依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光(CMP)机理、动力学过程和影响因素研究标明，它存在着两个动力学过程：抛光首先使吸附在抛光布上的中的、催化剂等与衬[阅读全文]